FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ Product Description
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Fabricante: | kev |
| Category ntawm cov khoom: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Technologia: | Si |
| Cov ntsiab lus ntawm montaje: | SMD / SMT |
| Paquete / Cubierta: | TSO-3 |
| Tom ntej: Polaridad del Transistor | N-Channel |
| Número de canales: | 1 Channel |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2.2 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 65 hmo |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 400 mV |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nco |
| Temperatura ntawm trabajo mínima: | - 55 C ua |
| Temperatura ntawm trabajo maxima: | + 150 C |
| Dp - Disipación de potencia: | 500 mW |
| Modo kwj dej: | Txhim kho |
| Empaquetado: | Rov qab |
| Empaquetado: | Txiav daim kab xev |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Configuración: | Ib leeg |
| Daim ntawv thov: | 10 nsq |
| Transconductancia hacia delante - Min.: | 13 S |
| Altura: | 1.12 hli |
| Ntev: | 2.9mm ib |
| Khoom siv: | MOSFET Small Signal |
| Cov khoom siv: | MOSFET |
| Daim ntawv thov: | 10 nsq |
| Series: | FDN 337 N |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Cov yam ntxwv ntawm transistor: | 1 N-Channel |
| Tipo: | FET |
| Daim ntawv pov thawj ntawm kev kho mob: | 17 nco |
| Daim ntawv teev cov demora de encendido: | 4 ib ns |
| Anchos: | 1.4mm ib |
| Alias de las piezas n.º: | FDN337N_NL |
| Peso de la unidad: | 0.001270 hli |
♠ Transistor - N-Channel, Qib Logic, Txhim Kho Hom Field Effect
SUPERSOT-3 N-Channel logic theem txhim kho hom fais fab teb cov nyhuv transistors yog tsim siv onsemi tus tswv, siab ceev ntawm tes, DMOS technology.Cov txheej txheem siab ceev no tshwj xeeb yog tsim los txo qis hauv-lub xeev tsis kam.Cov khoom siv no tshwj xeeb tshaj yog tsim rau cov ntawv siv hluav taws xob tsawg hauv cov khoos phis tawj khoos phis tawj, cov xov tooj nqa tau, PCMCIA phaib, thiab lwm cov roj teeb siv hluav taws xob uas hloov pauv sai, thiab qis hauv-kab hluav taws xob poob yog xav tau nyob rau hauv cov txheej txheem me me ntawm pob mount.
• 2.2 A, 30 V
♦ RDS(on) = 0.065 @ VGS = 4.5 V
♦ RDS(on) = 0.082 @ VGS = 2.5 V
• Kev Lag Luam Standard Outline SOT-23 Nto Mount Pob Siv Cov Khoom Siv SUPERSOT-3 Tsim kom muaj peev xwm ua tau zoo dua thermal thiab hluav taws xob
• High Density Cell Design rau RDS qis heev (on)
• Exceptional on-Resistance thiab Maximum DC Current Capability
• Cov cuab yeej no yog Pb-Dawb thiab Halogen Dawb
